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英特爾新制程落后,2021年或被臺積電超車

分類:半導體 發(fā)布:2019-03-20 10:47:16 瀏覽:546次 Tag:

研究機構(gòu)Linley Group發(fā)布芯片產(chǎn)業(yè)報告指出,英特爾(Intel)開發(fā)新制程落后,原有的芯片制造技術優(yōu)勢也幾乎蕩然無存。


首席分析師Linley Gwennap寫說,英特爾的10納米制程一再延誤,導致沖刺下一代制程進度現(xiàn)不僅落后給臺積電,三星與其伙伴GlobalFoundries也準備超車。


據(jù)悉,臺積電計劃于今年6月份開始量產(chǎn)7nm FinFET芯片,屆時臺積電將實現(xiàn)7nm芯片100%的市場份額,而高通、海思和Xillinx都是臺積電的大客戶,7nm這項工藝的收益將在第二季度開始體現(xiàn)。


三星已經(jīng)完成了7nm制程技術的開發(fā),并且在這一制程技術中使用了極紫外線曝光設備(EUV)。最初,該公司預計7 納米制程技術的開發(fā)將在2018 年下半年完成,但是,未來追趕臺積電的腳步,現(xiàn)在已經(jīng)提前半年完成。有消息指出,高通正準備向三星發(fā)送其新移動芯片樣品。


報告分析各大廠生產(chǎn)的芯片電路密度,以及其它工藝技術指標,結(jié)論是其它競爭者所采用的技術水平均已逼近英特爾,比如臺積電的7納米與英特爾10納米幾乎沒有差距。報告指出,三大競爭廠商在采購下一代微影技術(lithography)設備均比英特爾積極,不排除三者2021年都將超越英特爾。


英特爾護城河被對手一一攻破,未來營收展望堪憂。日前有消息傳出,蘋果最快2020年于部分Mac電腦以自家研發(fā)的處理器取代英特爾處理器,恐沖擊英特爾營收。

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